记者 任勇 摄

长江网9月28日讯(长江日报记者 肖娟 李佳 通讯员 张姗妮 刘刚建) “没有地方政府的大力支持，这个项目是不可能如此快速地启动和进入的”，28日，站在国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房前，国家存储器基地项目实施主体公司——长江存储CEO杨士宁接受长江日报记者专访，评价武汉的支持“一流”。

　　用3年赶别人6年走过的路

　　距世界前沿最近的产品将在武汉诞生

“存储器就像一个保险箱，而我们现在把自己的钱放在别人的保险箱里”，杨士宁说，存储芯片占整个芯片市场的1/3，另外是计算芯片和通讯、感知芯片，“我国发展通讯芯片有一定基础，而国内大规模存储芯片的自产率，是零”。

没有自己生产的存储器芯片，影响的是13亿国人。他举了个例子：“如果手机里的存储芯片全都是进口，如果国际上出现贸易封锁，手机厂商拿不到进口的存储芯片，手机就停产了，所有人都不能换手机了”。

他介绍，国家存储器瞄准的目标，是实现国家工业粮食自主供应，而且，研发目标直指世界最前沿的技术，“到现在为止，我国生产的很多芯片，离世界前沿差距比较大，差距在2到3代技术左右”。

长江存储正在研发并按计划量产的三维闪存(3D NAND)，如果能实现计划，跟世界前沿的差距一定是在两代之内，立刻成为全中国工艺、技术水平离世界前沿最近的一个产品，对中国来说是一个划时代的事情，杨士宁说，“我们现在是用3年时间，追赶别人6年走过的路”。

杨士宁表示，在武汉将产生距世界前沿最近的中国自主生产存储器芯片产品，“满产后能供应国内存储芯片需求50%以上，国人将感受自己创造的‘大存储’，手机里可放得下几百首歌、几千张照片”。

据悉，今年，长江存储已经完成32层堆栈的3D NAND闪存研发，更先进的64层堆栈产品也在同步开发，2019年有望量产，2020年技术达到国际领先的存储芯片供应商水平。

全球单体洁净室最大的集成电路厂房在汉建造

　　武汉将成为集成电路产出最高的城市

“这里建造的厂房，可以进入全世界前三的水平”，杨士宁介绍，在武汉建设的国家存储器基地，要建造全球单体洁净室面积最大的3D NANDFlash新厂。据悉，按照计划，今年第四季度将开始洁净室安装。

据了解，不论外界空气条件如何变化，洁净室内均能维持原设定的洁净度、温度及压力等性能，以满足使用需求。集成电路由于技术的复杂程度与日俱增，对于空气洁净度的要求也越来越高，核心工艺区需保持 1-4 级的洁净度。可以说，洁净室，直接决定了集成电路制造最终产品的成败，如果生产过程中洁净程度达不到要求，产品良品率会受到很大影响。

“芯片制造的带动效应，是1:10的比例，而作为我国最大的集成电路单体投资项目，因此放大效应将更大”，杨士宁说，项目对武汉集成电路产业的带动效应也显而易见。

杨士宁透露，从区域分布来看，武汉是国家集成电路产业基金投入最大的中部城市，这是对武汉的极大认可，“未来可以给武汉带来更多就业机会，武汉将很快成为集成电路产出最高的城市”。