腾讯科技讯 6月3日，高通对自己的充电技术青睐有加，而此技术也一直成为高通骁龙(Snapdragon)芯片与其处理能力同等重要的卖点之一。如今，就在宣布推出Quick Charge 4仅仅六个月之后，高通又宣布推出了充电速度更快的Quick Charge 4+技术。事实上，Quick Charge 4与此前的几款类似产品相比，充电时间和安全性都已经有了大幅度的提高，如今，Quick Charge 4+的充电速度又比Quick Charge 4提高了15%左右。

与此前版本要求配置新芯片组不同的是，Quick Charge 4+却是一种比较便捷的技术，设备与配件制造商可以通过对Quick Charge 4兼容的设备进行三项改进措施即可实现其相关功能。这三点升级主要包括：

1、双路充电（Dual Charge)：该功能早在此前几个版本的Quick Charge技术中就已经出现，但如今功能更加强大。

2、智能热平衡：该功能目前可以通过双路充电途径实施，能够智能选择最低温度的线路进行充电，从而让温度降低。

3、提升安全：该功能可以监控手机温度和连接器温度，以便防止过热和短路等情况对设备造成损害。

高通声称，能够执行这一新技术的设备充电时耗费的时间将比Quick Charge 4减少15%，效率能够提升30%，温度最高能够降低3摄氏度（约合5华氏度）。

不过，用户如果现在就想使用这一新技术，那么仅仅通过对现有设备增加补丁还是无法实现的，因为这些功能主要还得通过硬件升级来实现。目前为止，只有一种设备明确置入了Quick Charge 4+技术，即刚刚宣布的Nubia Z17手机，此手机配置了高通骁龙835芯片组和3200mAh的电池。（编译/金全）